🐢 半导体产业链认知图谱
SiC · GaN · InP 全链条知识结构化
🔗 第三代半导体全产业链
衬底
SiC/GaN晶体
→
外延
EPI Wafer
→
设计
器件/IC设计
→
制造
晶圆代工
→
封测
封装+测试
→
应用
终端模块
SiC 碳化硅
衬底：天岳先进、山东天瑞、天科合达
外延：瀚天天成、东莞天域、厦门芯一代
器件：斯达半导、华润微、士兰微
模块：比亚迪半导体、阳光电源
市场规模：¥180亿（2025E）
年增速：25-30%
核心应用：新能源车/光伏/轨交
瓶颈：8寸衬底良率<50%
GaN 氮化镓
衬底：苏州纳维、东莞中镓、山东晶盛
外延：苏州晶湛、江苏能华
器件：英诺赛科、纳微半导体、氮矽科技
模块：Anker、小米、华为
市场规模：¥120亿（2025E）
年增速：35-40%
核心应用：快充/5G射频/激光雷达
瓶颈：大尺寸GaN衬底成本高
InP 磷化铟
衬底：AXT(美)、住友(日)、中科晶电
外延：全球仅5家可量产
器件：光迅科技、源杰科技、仕佳光子
模块：华为、中兴、烽火通信
市场规模：¥60亿（2025E）
年增速：15-20%
核心应用：光通信/数据中心/激光雷达
瓶颈：国产替代率<20%
⚠️ 认知残差热力图
| 环节 | SiC | GaN | InP | 残差焦点 |
|---|---|---|---|---|
| 衬底生长 | 🟡 0.65 | 🟠 0.72 | 🔴 0.90 | InP单晶生长极难，全球仅3家 |
| 外延工艺 | 🟡 0.58 | 🟡 0.65 | 🔴 0.85 | InP外延量产能力严重不足 |
| 器件设计 | 🟢 0.40 | 🟡 0.55 | 🟠 0.70 | SiC MOSFET相对成熟 |
| 封装测试 | 🟢 0.35 | 🟢 0.42 | 🟡 0.60 | 长电科技等已有成熟产线 |
| 设备材料 | 🟠 0.75 | 🟠 0.78 | 🔴 0.88 | MOCVD/MBE设备高度依赖进口 |
📊 市场规模预测
玄武认知飞轮 · 半导体产业链 · 天鲸之城 SkyCetus
← 返回星辰大海